在设计电子电路时，选择合适的场效应晶体管（FET）对电路的稳定性和效率起着至关重要的作用。常见的两大类是 高压大电流 FET 与 低功耗逻辑电平 FET ，它们各自适用于不同的应用场景。本文将从设计角度出发，比较两者的异同，帮助你做出明智的选择。     1. 核心参数比较：电压、电流与驱动门极 高压大电流 FET： 常用于电机驱动、电源转换器、逆变器等高功率场景，具备数百伏电压及几十安培以上电流的能力。 逻辑电平 FET： 适用于微控制器（MCU）信号控制，如 Arduino、树莓派等低功耗设备，2.5~5V 的门极电压即可完全导通。 2. 参数对比表格 参数 高压大电流 FET 逻辑电平 FET 漏源电压（V DS ） 100V–1000V 20V–60V 最大漏极电流（I D ） 10A–100A+ 1A–20A 门极驱动电压（V GS ） 10–15V 2.5–5V 典型应用 电机、逆变器、大功率开关 MCU控制、LED、电磁继电器     3. 常见型号举例 IRF540N： 100V、33A，需10V以上门极驱动。 IRLZ44N： 55V、47A，逻辑电平型，适用于5V控制。 FQP30N06L： 常见的60V/32A逻辑电平 FET，广泛用于DIY项目。 4. 设计建议 如果你直接将 FET 与微控制器相连，一定要选用 逻辑电平 MOSFET 。使用标准型 MOSFET 而门极电压不足，会导致晶体管未完全导通，从而发热甚至损坏。另一方面，对于高功率场景，则应选用高压型 MOSFET，并配合 TC4420 等门极驱动芯片使用。     5. 结语 FET 虽小，但选型不当容易引发电路故障。充分理解高压型与逻辑型 FET 的差异，结合驱动电压与负载需求选用，将大幅提升你的电路性能与可靠性。   ...